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単層無欠陥グラファイトとすると, 水平方向の角度によって物性が変わりそうな気もするんですが, どうなんでしょ?
回路の物理実装も, 結晶方向に合わせて60度単位で行うのかな?
あと、グラフェンの場合、それに加えてエッジの形状も問題になるでしょうね。
試料を切り出す方向によって二種類のエッジの形状があって、 それぞれ、「ジグザグ」、「アームチェア」と呼ばれています。
ジグザグ型の場合にはエッジに局在した状態ができて、 その状態はちょうどフェルミ面のところに平坦なバンドを持ちます。 物質の主な性質はフェルミ面近くの性質を反映してくるので、 エッジの影響をかなり受けると考えられてるみたいです。
一方、アームチェア型だと平坦なバンドはできません。
この影響で、磁性なんかも変わってくるらしいです。
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犯人はmoriwaka -- Anonymous Coward
六角形 (スコア:1)
単層無欠陥グラファイトとすると, 水平方向の角度によって物性が変わりそうな気もするんですが, どうなんでしょ?
回路の物理実装も, 結晶方向に合わせて60度単位で行うのかな?
Re:六角形 (スコア:3, 興味深い)
あと、グラフェンの場合、それに加えてエッジの形状も問題になるでしょうね。
試料を切り出す方向によって二種類のエッジの形状があって、 それぞれ、「ジグザグ」、「アームチェア」と呼ばれています。
ジグザグ型の場合にはエッジに局在した状態ができて、 その状態はちょうどフェルミ面のところに平坦なバンドを持ちます。 物質の主な性質はフェルミ面近くの性質を反映してくるので、 エッジの影響をかなり受けると考えられてるみたいです。
一方、アームチェア型だと平坦なバンドはできません。
この影響で、磁性なんかも変わってくるらしいです。
Re:六角形 (スコア:1)
グラファイトに限らず、結晶はまず間違いなく方向によって物性は変わるものです。確かシリコンの場合でも、移動度に関して電子は方位依存性が弱いけれど正孔だと方位依存性が結構強く顕れるなんて話を読んだ記憶があります。
Re:六角形 (スコア:2, 興味深い)
シリコンウェハを割ると、(100)は綺麗に割れますが、(111)は劈開面が斜めになります。
(111)な結晶は、断面SEMのきれいな試料を作るには研磨しないとならんのです。
Re: (スコア:0)