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単層無欠陥グラファイトとすると, 水平方向の角度によって物性が変わりそうな気もするんですが, どうなんでしょ?
回路の物理実装も, 結晶方向に合わせて60度単位で行うのかな?
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六角形 (スコア:1)
単層無欠陥グラファイトとすると, 水平方向の角度によって物性が変わりそうな気もするんですが, どうなんでしょ?
回路の物理実装も, 結晶方向に合わせて60度単位で行うのかな?
Re: (スコア:1)
グラファイトに限らず、結晶はまず間違いなく方向によって物性は変わるものです。確かシリコンの場合でも、移動度に関して電子は方位依存性が弱いけれど正孔だと方位依存性が結構強く顕れるなんて話を読んだ記憶があります。
Re:六角形 (スコア:2, 興味深い)
シリコンウェハを割ると、(100)は綺麗に割れますが、(111)は劈開面が斜めになります。
(111)な結晶は、断面SEMのきれいな試料を作るには研磨しないとならんのです。