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もともとそのあたりが限界だと見られている?MLCタイプのフラッシュメモリの代替を想定して?10,000回の書き換えができれば十分だと思った?
もし100,000回できるならやればいいと思うのだが…
あと時間が経過しても動作は安定していたそうだけど、5年も放置してないですよねw
>MLCタイプのフラッシュメモリの代替を想定して?
まあこれでしょ。構造を作る途中のプロセスがちょっと特殊なだけで、出来上がる構造は既存のフラッシュメモリと全く一緒だし。で、「少なくとも今売られてるものと同等以上の書き換え可能回数があるから問題ねぇだろ?」ってだけの話。
>もし100,000回できるならやればいいと思うのだが…
いや、実験だって時間かかるし、無理に長いことやる意味も無いわけで。#これを直接売るってんなら別だけど、そういうわけでも無いしね。
>あと時間が経過しても動作は安定していたそうだけど、5年も放置してないですよねw
放置という面だと、電荷保持時間をVFB依存性から補外して求めていて(この手のデバイスで良くやる手法)、寿命の短いホールで107 s、長い電子の方で……1012 s以上ぐらい?(傾きが緩すぎて正確に見積もれない)の保持時間はありそうだ、ってのは出してる。加熱での加速試験は、少なくとも論文では記載されていない。多分やってるんだろうけど。
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海軍に入るくらいなら海賊になった方がいい -- Steven Paul Jobs
どうして10,000回? (スコア:1)
もともとそのあたりが限界だと見られている?
MLCタイプのフラッシュメモリの代替を想定して?
10,000回の書き換えができれば十分だと思った?
もし100,000回できるならやればいいと思うのだが…
あと時間が経過しても動作は安定していたそうだけど、5年も放置してないですよねw
Re:どうして10,000回? (スコア:1)
>MLCタイプのフラッシュメモリの代替を想定して?
まあこれでしょ。
構造を作る途中のプロセスがちょっと特殊なだけで、出来上がる構造は既存のフラッシュメモリと全く一緒だし。
で、「少なくとも今売られてるものと同等以上の書き換え可能回数があるから問題ねぇだろ?」ってだけの話。
>もし100,000回できるならやればいいと思うのだが…
いや、実験だって時間かかるし、無理に長いことやる意味も無いわけで。
#これを直接売るってんなら別だけど、そういうわけでも無いしね。
>あと時間が経過しても動作は安定していたそうだけど、5年も放置してないですよねw
放置という面だと、電荷保持時間をVFB依存性から補外して求めていて(この手のデバイスで良くやる手法)、寿命の短いホールで107 s、長い電子の方で……1012 s以上ぐらい?(傾きが緩すぎて正確に見積もれない)の保持時間はありそうだ、ってのは出してる。
加熱での加速試験は、少なくとも論文では記載されていない。多分やってるんだろうけど。