【IEDM 2017】従来の半分の積層数で1Tbitを実現可能な超高密度3D NANDフラッシュ技術

あるAnonymous Coward 曰く、

中堅の半導体メモリベンダーである台湾のMacronix International(以降はMacronixと表記)は、ワード線の積層数が48層と少ないにも関わらず、1Tbit(1,024Gbit)と大きな記憶容量を実現可能な超高密度3D NANDフラッシュ技術を開発し、この12月に米国サンフランシスコで開催された国際学会IEDMで技術概要を発表した(講演番号19.1)。従来の3D NANDフラッシュ技術では1Tbitの実現に96層(3bit/セル:TLC方式の場合)が必要とされてきた。Macronixが開発したフラッシュ技術だと、積層数が約半分で済み、製造が容易になる可能性がある。

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